Java Single Shot LDR GaN FET

Wzmacniacz zintegrowany Java Single Shot LDR GaN FET.

Dostępność: Na zamówienie

Cena: 33290.00

Wykończenie:
Wykończenie panelu przedniego:
szt.
Zamówienie telefoniczne: +48 696 733 643

Dostępność, płatność i dostawa

Oblicz ratę
Czas realizacji zamówienia do: 14 dni
Cena przesyłki:
25
  • Odbiór osobisty 0
  • Kurier pobranie 25
  • Kurier 25

Java Single Shot LDR GaN FET to zintegrowany wzmacniacz, który łączy innowacyjne technologie, takie jak rezystory zależne od światła (LDR) i tranzystory z azotku galu (GaN FET), aby dostarczyć wyjątkową jakość dźwięku.

image

Przedwzmacniacz oparty na technologii LDR

Jednym z najważniejszych elementów tego wzmacniacza jest zastosowanie optycznych rezystorów LDR (Light Dependent Resistor) w sekcji przedwzmacniacza.

  • Brak mechanicznych potencjometrów i konwencjonalnych układów scalonych – zastosowanie LDR eliminuje elementy mechaniczne z toru sygnału, co przekłada się na zminimalizowane szumy i zniekształcenia.
  • Najkrótsza możliwa ścieżka sygnału – pozwala to zachować nieskazitelną czystość dźwięku i pełną przejrzystość.
  • Ultra-precyzyjna regulacja głośności – płynne, skokowe dopasowanie poziomu sygnału bez degradacji jakości.

Końcówka mocy klasy D z tranzystorami GaN FET

GaN FET (azotek galu) to przyszłość wzmacniaczy klasy D, a Java Single Shot jest jednym z pierwszych wzmacniaczy zintegrowanych wykorzystujących tę technologię.

  • Lepsza efektywność i szybsza reakcja na sygnał – tranzystory GaN mają znacznie niższą pojemność przełączającą i większą szybkość działania niż standardowe tranzystory MOSFET, co skutkuje bardziej szczegółowym, analogowym brzmieniem.
  • Minimalne zniekształcenia intermodulacyjne (IMD) i harmoniczne (THD) – dźwięk pozostaje naturalny, gładki i przestrzenny, bez cyfrowej twardości często spotykanej w standardowych wzmacniaczach klasy D.
  • Wysoka wydajność energetyczna – technologia GaN FET sprawia, że wzmacniacz jest chłodniejszy i bardziej oszczędny niż tradycyjne konstrukcje klasy AB, nie tracąc przy tym mocy i dynamiki.

Wysoka moc i dynamika

Java Single Shot LDR GaN FET oferuje imponującą moc, zapewniając pełną kontrolę nad każdym zestawem kolumn:

  • 200 W na kanał przy 8 Ω – zapewnia czyste, detaliczne brzmienie z dużą rezerwą mocy.
  • 400 W na kanał przy 4 Ω – jeszcze większa wydajność dla wymagających zestawów głośnikowych.
  • stabilność nawet przy niskich impedancjach – wzmacniacz radzi sobie świetnie z trudniejszymi kolumnami, oferując mocny i precyzyjny bas oraz szeroką scenę dźwiękową.

image

Parametry:
Moc wyjściowa: 200 W przy 8 Ω / 400 W przy 4 Ω
Pasmo przenoszenia: 10 Hz – 100 kHz
Stosunek sygnału do szumu (SNR): >120 dB
Całkowite zniekształcenia harmoniczne (THD): < 0,03%
Wejścia: 3x RCA ( w tym phono)
Wyjścia: 1x RCA (przedwzmacniacz), 1x słuchawkowe
Terminale głośnikowe: ETI Research
Złącza RCA: ETI Research
Zasilanie: 100-240V AC
Wymiary: 44 cm (szer.) × 41,5 cm (gł.) × 13 cm (wys.)
Waga: 9,6 kg
Przetwornik cyfrowo-analogowy wysokiej rozdzielczości 1x wejście USB
Bluetooth aptX Tak
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
Zadaj pytanie